晶向、電阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm 硅單晶的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運輸、貯存等。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于由直拉法制備的硅單晶,主要用于制作滿足集成電路IC用線寬0..." />

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300mm 硅單晶

標(biāo) 準(zhǔn) 號: GB/T 29504-2013
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
起草單位: 有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計量質(zhì)量研究所、萬向硅峰電子股份有限公司、寧波立立電子股份有限公司。
發(fā)布日期: 2013-05-09
實施日期: 2014-02-01
點 擊 數(shù):
更新日期: 2025年02月14日
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內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直徑300mm、p型、<100>晶向、電阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm 硅單晶的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運輸、貯存等。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于由直拉法制備的硅單晶,主要用于制作滿足集成電路IC用線寬0.13μm 及以下技術(shù)需求的300mm 硅單晶拋光片。

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