本標準規(guī)定了用電容位移傳感法測定硅片表面局部平整度的方法。本標準適用于無接觸、非破壞性地測量干燥、潔凈的半導體硅片表面的局部平整度。適用于直徑100mm及以上、厚度250μm及以上腐蝕、拋光及外延硅片。
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