本文件規(guī)定了多晶硅棒取樣、將樣品區(qū)熔拉制成單晶以及通過低溫紅外光譜法或光致發(fā)光光譜法對拉制好的單晶硅棒進(jìn)行分析以確定多晶硅中施主、受主、代位碳和間隙氧雜質(zhì)含量等的規(guī)程。本文件適用于評價硅芯上沉積生長的棒狀多晶硅。