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非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測試方法【作廢】

標(biāo) 準(zhǔn) 號: YS/T 679-2008
發(fā)布單位: 國家發(fā)展和改革委員會
起草單位: 有研半導(dǎo)體材料股份有限公司
發(fā)布日期: 2008-03-12
實(shí)施日期: 2008-09-01
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更新日期: 2018年03月23日
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內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)適用于非本征單晶半導(dǎo)體材料樣品或相同導(dǎo)電類型重?fù)揭r底上沉積已知電阻率的同質(zhì)外延層中的少數(shù)載流子擴(kuò)散長度的測量。要求樣品或外延層厚度大于4倍的擴(kuò)散長度。 本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMI MF 391-1106《非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測試方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與SEMI MF 391-1106相比主要有如下變化:
———標(biāo)準(zhǔn)格式按GB/T 1.1要求編排;
———將SEMI MF 391-1106中的部分注轉(zhuǎn)換為正文;
———將SEMI MF 391-1106中部分內(nèi)容進(jìn)行了編排。

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