本文件描述了非接觸渦流法測試半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的方法。 ?
本文件適用于測試直徑或邊長不小于25.0 mm、厚度為0.1 mm～1.0 mm的硅、導電型砷化鎵、導電型碳化硅單晶片的電阻率，以及襯底上制備的電阻不小于薄膜電阻1 000倍的薄膜薄層的電阻。單晶片電阻率的測試范圍為0.001 Ω·cm～200 Ω·cm，薄膜薄層電阻的測試范圍為2.0×103 Ω/□～3.0×103 Ω/□。本方法也可以擴展到其他半導體材料中，但不適用于晶片徑向電阻率變化的判定。