本標(biāo)準(zhǔn)給出了使用連續(xù)變波長(zhǎng)、變角度的光譜型橢圓偏振儀測(cè)量硅表面上二氧化硅薄層厚度的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)試硅基底上厚度均勻、各向同性、10nm~1000nm 厚的二氧化硅薄層厚度,其他對(duì)測(cè)試波長(zhǎng)處不透光的基底上單層介電薄膜樣品厚度測(cè)量可以參考此方法。